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CSD19532Q5B
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
技术参数：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD19532Q5B制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.9 毫欧 @ 17A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4810pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），195W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）现在可以订购CSD19532Q5B，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
