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CSD22206WT
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：9-DSBGA（1.5x1.5）
技术参数：MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD22206WT制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：8V25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.7 毫欧 @ 2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.6nC @ 4.5VVgs（最大值）：-6V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2275pF @ 4VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：9-DSBGA（1.5x1.5）现在可以订购CSD22206WT，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
