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CSD25501F3T
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：3-LGA（0.73x0.64）
技术参数：MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD25501F3T制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：FemtoFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.6A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：76 毫欧 @ 400mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.33nC @ 4.5VVgs（最大值）：-20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：385pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：500mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：3-LGA（0.73x0.64）现在可以订购CSD25501F3T，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
