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CSD75205W1015
  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:6-UFBGA,DSBGA
  • 技术参数:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
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    专营TI芯片半导体
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD75205W1015
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):1.2A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 1A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):265pF @ 10V
  • 功率-最大值:750mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-UFBGA,DSBGA
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