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CSD85301Q2T
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-WDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD85301Q2T制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：469pF @ 10V功率-最大值：2.3W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-WDFN现在可以订购CSD85301Q2T，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
