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CSD85312Q3E
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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技术参数详情：
制造商产品型号：CSD85312Q3E制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）共源FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：39A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 10A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.2nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2390pF @ 10V功率-最大值：2.5W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFN现在可以订购CSD85312Q3E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
