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TPS1120DR
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：TPS1120DR制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 个 P 沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：15V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.17A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.45nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：840mW工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购TPS1120DR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
